BSM50GAL120DN2 - IGBT транзисторный модуль Ic=78A (25 град С), Uкэ=1200В .

IGBT модуль  BSM50GAL120DN2 транзисторно-диодная сборка, функционально соответствующая следующей схеме:

Техническая информация в формате PDF можно скачать в спецификациях ниже.

УП "Силовая электроника" тел.факс 017-2058245, тел. 029-6130564