Имплантер модели IMC-200, разработанный компанией «Ion Beam Services», предназначен для решения производственных задач и для проведения исследований при имплантации стандартных и/или редко применяемых примесей.
Варианты исполнения |
Высокопроизводительная модель IMC-200P: для подачи подложек в автоматическом режиме (используется робот-загрузчик) Модель IMC-200RD: для исследований, разработок и выпуска небольших серий пластин (4 подложки на цикл). Младшая модель IMC-200 для специальных применений. |
Имплантация |
Имплантация стандартных (B, F, As, Ar и др.) и редко применяемых ионов. Всего более 60 материалов. Диапазон энергий: от 2 до 210 кэВ. Возможность имплантации двух- и трех- зарядных ионов. M/ΔM ≥100. Угол имплантации при комнатных температурах - от 0° до 45°. Дозы: от 1х1011 at/см2 до 1х1018 at/см2. Неоднородность дозы по всей области имплантации: ≤ 1.0% (при комнатной температуре). Неоднородность пластины к пластине: ≤ 1.0% |
Подложки |
Совместим с подложками из Si, SiC, GaAs, Al2O3. Размер: от 1 см2 до 150 мм в диаметре. Любой угол наклона и поворота пластин в процессе. |
Пучок |
Для 75As, 31P ≥ 300 мкА Для 11В ≥ 150 мкА |