Описание

Компания ASMPT является изобретателем многолучевых систем для резки полупроводниковых пластин. Большой опыт компании в области разработки систем данного типа позволил создать технологию V-DOE, которая обеспечивает высококачественную резку тонких кремниевых пластин с низкой диэлектрической проницаемостью (Low-K), включая DAF или FOW с высокой прочностью кристаллов (450-500 МПа) и низкую стоимость владения. Технология V-DOE позволяет обрабатывать все виды материалов за один проход, при этом не требуется применения сложных и дорогостоящих технологических процессов резки, таких как DBG, либо других гибридных процессов. Уникальная концепция системы гарантирует высокую точность и воспроизводимость.

Ключевые особенности:

• Возможность обработки подложек из различных материалов, включая DAF или FOW. Толщина резки от 10 мкм до 200 мкм;
• Высокая точность позиционирования и воспроизводимость (<± 1 мкм);
• Малая ширина линии резки (< 12 мкм для толщины 100 мкм);
• Малая зона теплового воздействия (< 2 мкм для толщины 100 мкм);
• Высокая производительность (как правило, на 50 % выше, по сравнению с аналогичными системами других производителей) благодаря применению лазерных технологий:
  • сверхнизкое время индексирования;
  • две кассетные станции;
  • две станции нанесения покрытия и очистки.

Основные ключевые моменты:

• Уникальная многолучевая технология.
• Активное управление фокусом для компенсации колебаний толщины пластины.
• Система перемещения в плоскости и активные крепления для компенсации вибрации обеспечивают чрезвычайно высокую скорость и точность.
• Дистанционное управление и диагностика для оперативной поддержки процесса и более быстрого сервисного обслуживания.
• 2 отдельные кассетные станции для исключения времени простоя машины.
• Встроенные станции нанесения покрытия/очистки для повышения производительности и гибкости резки;
• Автоматическая настройка разделения луча для использования при решении различных задач;
• Станция предварительного выравнивания и обработки контура для достижения максимальной производительности;
• Обработка пластин с кристаллами интегральных схем различных типов и сломанных пластин для повышения выхода годных кристаллов на полупроводниковой пластине;
• Совместимость с Secs Gem;
• Интуитивно понятный графический интерфейс пользователя.

Области применения

• ВЧ интегральные схемы;
• Сверхъяркие светодиоды;
• Память (NAND и DRAM);
• Элементы питания;
• Драйверы ЖК-дисплеев;
• Микропроцессоры.

Размеры

• Ширина х Глубина х Высота: 1500 x 2000 x 2200 мм