Система физического осаждения из паровой фазы (PVT) AKT-PiVot предназначена для осаждения критических пиксельных транзисторов и слоев меж соединений на листы стекла площадью 5,7 м2 для производства дисплеев с плоским экраном. Высокая производительность AKT-PiVot позволяет изготавливать более быстрые транзисторы для дисплеев с ультравысоким разрешением (UHD) и быстрыми частотами обновления.

При создании TFT дисплеев с основанием из металлической окисной пленки, система AKT-PiVot производит осаждение критического транзисторного материала МО-канала, оксида индия, галлия и цинка(IGZO), с высокой однородностью и стабильностью с использованием технологии вращающегося катода. Система AKT-PiVot‒ единственное решение для осаждения оксида индия, галлия и цинка, позволяющее преодолеть «эффект мура» ‒важнейшую нерешённую задачу, которая замедляла технологии MO, основные для изготовления ЖК-дисплеев. Кроме того, устойчивость к разрыву пленок IGZO, осажденных с помощью PiVot, создает перспективу для использования основных плат MO для дисплеев OLED, значительно снижая затраты и позволяя OLED телевизорам с большой диагональю стать более доступными.

Используя систему PiVot, производители дисплеев могут перейти от применения алюминиевых к медным межсоединениям для того, чтобы добиться более быстрого отклика пикселя и более низкого энергопотребления в панелях LCD-телевизоров нового поколения. Ключом к превосходному качеству пленки системы PiVot является её запатентованная конструкция вращающегося катода, в которой используется уникальная технология модуляции осаждения для осаждения медных слоев с равномерным распределением зерен, низким удельным сопротивлением и однородностью по толщине.