Описание

Акустический микроскоп модель SAM-DENEB предназначен для неразрушающего контроля радиоэлектронных изделий. Данная система позволяет тестировать сложные микросборки и микросхемы большой степени интеграции в корпусах BGA, MBGA, Flip Chip, CSP и т.д.

При этом ультразвуковой контроль может осуществляться, как на стадии входного контроля компонентов, так и после установки компонентов на печатные платы, в том числе и после покрытия их лаком или другими конформными покрытиями (после климатических и вибрационных испытаний). 

Кроме того, система может применяться для исследования микроструктуры материалов используемых в производстве радиоэлектронных изделий. Тестовая система SAM-DENEB позволяет получать 3D-модели изделий.  Ультразвук не оказывает отрицательного воздействия на работоспособность проверяемых с его помощью электронных изделий, а эксплуатация акустического микроскопа абсолютно безопасна для работающего на ней персонала и окружающей среды.

Ультразвуковой системой обнаруживаются такие дефекты материалов как: пустоты, расслоения и отслоения, микротрещины и разрывы, геометрические отклонения параметров кристалла и другие скрытые внутренние дефекты.    

 

 

Область применения

Ультразвуковой контроль используется в тех случаях, когда к выпускаемой электронной продукции предъявляются повышенные требования по надежности при самых экстремальных по температуре, давлению и вибрациям условиях эксплуатации (продукция аэрокосмического и оборонного назначения, автомобильная электроника, электронное оборудование  для атомной промышленности).

 

 

В микроскоп SAM-DENEB включен метод сканирования “Tray-scan”, который позволяет производить тестирование компонентов находящихся в поддоне, что дает возможность использовать ультразвуковой контроль в условиях серийного производства.

Ультразвуковое тестирование является современной и передовой технологией, направленной на повышение качества и надежности контролируемых с ее помощью электронных изделий. 

Ниже представлены основные области применения ультразвукового оборудования:

• Контроль структуры керамических конденсаторов
• Контроль структуры пластмассовых корпусов
• Контроль дефектов присоединения кристалла (Die Attach Defects)
• Контроль микросхем в корпусах Flip Chip
• Контроль микросхем в корпусах CSP
• Контроль микросхем в корпусах BGA и MBGA
• Контроль обработанных полупроводниковых пластин (Bonded Wafers)
• Контроль микротрещин на подложках и кристаллах
• Контроль расслоений на подложках и многослойных печатных платах (МПП)
• Контроль пустот в материалах и паяных соединениях (Voids)
• Контроль качества паяных соединений
• Контроль всевозможных скрытых дефектов в материалах

 

Технические характеристики

Сканируемая область:	350 х 350 х 70 мм
Размер резервуара для сканирования:	500 х 520 х 100 мм
Разрешение:	0,5 мкм
Максимальная скорость сканирования:	1000 мм/с
Режимы сканирование:	A, B, C-Scan, FFT-Scan, TOF 3D и Visual 3D display
Послойное сканирование	До 20 слоев
Аналогово-цифровой преобразователь:	Частота дискретизации в реальном времени 500 МГц , полоса пропускания 1 ГГц
Высокочастотные преобразователи (излучатель - приемник):	15, 25, 35, 75, 110, 200 MHZ
Габаритные размеры (ШхГхВ):	880 х 880 х 1330 мм
Вес:	250 кг
Эл. Питание:	230В, 50Гц, 10А