FDA59N30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 59 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 77 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.056 Ohm

Тип корпуса: TO3PN